相同體積的電源的功率耗散基本相同，因此，欲得到更大的輸出功率，必須提率，同時，高的電源效率可以有效地減小功率半導體器件的應力，有利于提高其可靠性。

　　功率半導體器件的進步：率功率變換的根本

　　功率半導體器件的進步特別是PowerMOSFET的進步引發(fā)出功率變換的一系列的進步：PowerMOSFET的極快的開關(guān)速度，使開關(guān)電源的開關(guān)頻率從雙極晶體管的20kHz提高到100kHz以上，有效地減小了無源儲能元件(電感、電容)的體積。低壓PowerMOSFET使低壓同步整流成為現(xiàn)實，器件的導通電壓從肖特基二極管的0.5V左右，降低到同步整流器的0.1V甚至更低，使低壓整流器的效率至少提高了10%。高壓PowerMOSFET的導通壓降和開關(guān)特性的改善，提高了開關(guān)電源的初級效率。功率半導體器件的功耗的降低也使散熱器和整機的體積減小。

　　電源界有一個不成文的觀點：不穩(wěn)壓的比穩(wěn)壓的效率高、不隔離的比隔離的效率高、窄范圍輸入電壓的比寬范圍輸入的效率高。Vicor的48V輸入電源模塊的效率達到97%。交流輸入開關(guān)電源需要功率因數(shù)校正，由于功率因數(shù)校正已具有穩(wěn)壓功能，在對輸出紋波要求不高的應用(如輸出接有蓄電池或超級電容器)，可以采用功率因數(shù)校正加不調(diào)節(jié)的隔離變換器電路拓撲，國外在1986年已有產(chǎn)品，效率到達93%以上。

　　在DC48V輸入電壓的電源模塊中，效率在93%以上的模塊幾乎無一例外地采用前級穩(wěn)壓、后級不調(diào)節(jié)隔離的方案，并且將*級的輸出電容和第二級的輸出電感取消，簡化了電路結(jié)構(gòu)。

　　國內(nèi)的很多開關(guān)電源在設(shè)計上對結(jié)構(gòu)設(shè)計的關(guān)注相對不夠，有時會出現(xiàn)電源內(nèi)的各部分溫升不均，有的地方過熱，有的地方幾乎沒有溫升，甚至PCB上產(chǎn)生較大的損耗。一個好的開關(guān)電源應該是產(chǎn)生熱的元件均勻分布在PCB上，而且發(fā)熱元件的溫升基本一致，PCB應有盡可能小的損耗，這在模塊電源和塑料外殼的Adapter的設(shè)計中尤為重要。

　　效率提高的同時：電源的電磁干擾得到減小

　　在開關(guān)電源的各種損耗中，電磁干擾所產(chǎn)生的損耗，在電源效率高到一定水平后將不容忽視。一方面電磁干擾本身消耗能量，特別是電源效率的提高往往需要軟開關(guān)技術(shù)或零電壓開關(guān)或零電流開關(guān)技術(shù)(無論是專門設(shè)置還是電路本身固有)，應用這些技術(shù)減緩了開關(guān)過程的電壓、電流的變化速率或消除了開關(guān)過程，電磁干擾變得很小，不需要像常規(guī)開關(guān)電源電路中需要專門設(shè)置抑制電磁干擾的電路(這個電路是存在損耗的)。